Субмикронные частицы Cr-замещённого стронциевого гексаферрита: исследования аномальной рентгеновской дифракцией, твёрдые магнитные свойства и поглощение миллиметровых волн

Субмикронные частицы Cr-замещённого стронциевого гексаферрита: исследования аномальной рентгеновской дифракцией, твёрдые магнитные свойства и поглощение миллиметровых волн

13 мая 2025 г.·Евгений А. Горбачёв,Василий А. Лебедев,Екатерина С. Козлякова,Людмила Н. Алыбьева,Антонио Червеллино,Илья В. Росляков,Иана С. Соболева,Алексей В. Соболев,Лев А. Трусов

Проблема

На сегодняшний день только три соединения считаются твёрдыми магнитными изоляторами: кобальтовый феррит (CoFe2O4\mathrm{CoFe}_2\mathrm{O}_4), эпсилон оксид железа(III) (ϵ-Fe2O3\epsilon\text{-}\mathrm{Fe}_2\mathrm{O}_3) и М-типа гексаферриты (MFe12O19\mathrm{MFe}_{12}\mathrm{O}_{19}, M2+=Ba2+,Sr2+,Pb2+\mathrm{M}^{2+} = \mathrm{Ba}^{2+}, \mathrm{Sr}^{2+}, \mathrm{Pb}^{2+}). Благодаря большой магнитокристаллической анизотропии они могут обеспечивать довольно высокую коэрцитивную силу и естественный ферромагнитный резонанс (ЕФМР) в миллиметровом диапазоне (30–300 ГГц). Эти функциональные свойства востребованы во многих областях применения, от магнитной записи до спинтроники.

Наиболее эффективный способ увеличения поля анизотропии Ha=2K1ρ1MS1H_a = 2K_1\rho^{-1}M_S^{-1} (где K1K_1 — константа магнитокристаллической анизотропии, ρ\rho — плотность, MSM_S — удельная намагниченность насыщения) — уменьшение намагниченности насыщения MSM_S путём замещения ионов Fe3+\mathrm{Fe}^{3+} диамагнитными ионами. Наиболее выдающиеся результаты были достигнуты для частичного замещения Al3+\mathrm{Al}^{3+}, что привело к более чем пятикратному увеличению коэрцитивной силы и частот ЕФМР до 36 кЭ и 250 ГГц соответственно.

Замещение хромом не было достаточно изучено из-за трудностей получения однофазных материалов. На сегодняшний день однодоменные частицы Cr-замещённых гексаферритов с широким диапазоном составов не были описаны, а их магнитные свойства и поглощение миллиметровых волн не были систематически исследованы.

Методы/Идеи

Впервые авторы получили субмикронные частицы однофазных гексаферритов с химическим составом SrFe12xCrxO19\mathrm{SrFe}_{12-x}\mathrm{Cr}_x\mathrm{O}_{19} (x=08x = 0-8) посредством оптимизированного метода цитрат-нитратного автогорения.

Синтез:

  • Высокочистые реактивы: карбонат стронция, нитрат железа(III) нонагидрат, нитрат хрома(III) нонагидрат, лимонная кислота
  • Цитратный метод с молярным соотношением 1:3 между ионами металлов и цитратом
  • Раствор нейтрализовали водным аммиаком и обезвоживали
  • Продукт самопроизвольно воспламенился, образуя пористый прекурсор
  • Прекурсор отжигали при 1200 °C в течение 2 ч на воздухе

Характеризация:

  • Аномальная рентгеновская дифракция (AXRD) на синхротроне SLS (лучевая линия X04SA-MS) вблизи K-края Cr для определения распределения Cr по позициям железа
  • РСА (Rigaku D-Max 2500) для фазового анализа и параметров решётки
  • СЭМ для морфологии и распределения частиц по размерам
  • SQUID магнитометрия (MPMS XL) для магнитных свойств и температуры Кюри
  • ТГц спектроскопия во временной области для спектров ЕФМР (300 K, нулевое магнитное поле)
  • Мёссбауэровская спектроскопия для анализа сверхтонких полей

Результаты

Анализ кристаллической структуры

Результаты аномальной РСА:

  • Ионы Cr3+^{3+} преимущественно занимают октаэдрические позиции: 2a, 12k и 4f2
  • Тригонально-бипирамидальные позиции 2b и тетраэдрические 4f1 лишь слабо затронуты
  • Объём элементарной ячейки уменьшается с содержанием Cr (скорость: -2,80 ų на ион Cr)
  • Параметры решётки линейно изменяются с x

Параметры решётки:

x (Cr)aa (Å)cc (Å)Объём (ų)
05,885023,050690,5
25,878023,020685,0
45,871022,990679,5
5,55,866022,970675,5
65,864022,960674,0

Мёссбауэровская спектроскопия

  • Средние сверхтонкие поля уменьшаются с увеличением содержания хрома
  • Cr3+^{3+} ведёт себя как диамагнитная примесь, несмотря на наличие неспаренных электронов
  • Сложные суперобменные взаимодействия приводят к слабым положительным JFeCr1J_{\mathrm{FeCr}} \approx 1 К
  • Квадрупольный сдвиг уменьшается с x, указывая на увеличение симметрии кристаллического поля

Морфология частиц

СЭМ анализ:

  • Все образцы содержат однофазный М-типа гексаферрит
  • Частицы имеют пластинчатую морфологию
  • Средний диаметр частиц: 430–1400 нм в зависимости от состава
x (Cr)Средний диаметр (нм)Критический диаметр DcrD_{cr} (нм)
01400 ± 600500
1590 ± 210700
2610 ± 2201100
3570 ± 1901600
4520 ± 1903000
5430 ± 1506600
5,5510 ± 1807600
6490 ± 17010400
  • Введение Cr значительно увеличивает критический размер домена DcrD_{cr}
  • Для x1x \geq 1 частицы находятся в однодоменном состоянии

Магнитные свойства

Зависимость намагниченности от температуры:

  • Температура Кюри линейно уменьшается с содержанием Cr
  • От 740 K (x=0x = 0) до 257 K (x=8x = 8)
  • Образец с x=7x = 7 (TC=314T_C = 314 K) демонстрирует поведение, близкое к суперпарамагнитному

Характеристики петель гистерезиса (300 K):

x (Cr)TCT_C (K)MSM_S (эмю/г)MRM_R (эмю/г)HCH_C (кЭ)MR/MSM_R/M_S
074070,035,24,40,50
166761,330,37,20,50
262245,024,37,70,49
357435,617,89,30,54
451924,812,610,90,50
545914,77,313,50,51
5,542913,46,613,90,49
639110,02,013,10,47
73143,50,60,70,17
82571,200

Ключевые наблюдения:

  • Коэрцитивная сила увеличивается с 4,4 кЭ (x=0x = 0) до максимума 13,9 кЭ (x=5,5x = 5,5)
  • Для x>6x > 6 коэрцитивная сила падает из-за приближения TCT_C к температуре измерения
  • MR/MS0,5M_R/M_S \approx 0,5 для однодоменных образцов (поведение Стонера–Вольфарта)

Поглощение миллиметровых волн (ЕФМР)

Частоты и параметры ФМР:

x (Cr)frf_r (ГГц)FWHM Γ\Gamma (ГГц)Δm\Delta m
0518,4
1597,7
2716,6
3855,7
41045,0
51214,7
5,51294,5
61259,0

Ключевые выводы:

  • Частота ЕФМР увеличивается с 51 ГГц (x=0x = 0) до 129 ГГц (x=5,5x = 5,5)
  • Фактор затухания Γ\Gamma уменьшается с x (необычное поведение)
  • Для x7x \geq 7 чёткого резонанса нет из-за близости к TCT_C

Поле анизотропии и магнитокристаллическая анизотропия

Рассчитанные параметры:

x (Cr)ρ\rho (г/см³)K1K_1 (Мэрг/см³)HaH_a (кЭ)
05,103,2618,2
15,103,2921,0
25,102,9425,5
35,102,7730,4
45,102,3537,0
55,101,6343,3
5,55,111,5946,2
65,111,0144,6

Механизм:

  • K1K_1 уменьшается с содержанием Cr
  • MSM_S уменьшается быстрее, чем K1K_1
  • Поле анизотропии Ha=2K1ρ1MS1H_a = 2K_1\rho^{-1}M_S^{-1} увеличивается
  • Максимум HaH_a при x=5,5x = 5,5 коррелирует с максимумом HCH_C и frf_r

Сравнительный анализ: замещение Al, Ga и Cr

Сравнение при оптимальных уровнях замещения:

ИонОптимальный xHCH_C (кЭ)frf_r (ГГц)Ионный радиус (Å)
Al³⁺5,5362500,535
Cr³⁺5,513,91290,615
Ga³⁺46,4560,620

Ключевые различия:

  • Al³⁺: Наиболее эффективен благодаря малому ионному радиусу и занятию позиций 2a и 12k (некомпенсированные спины)
  • Cr³⁺: Занимает 2a, 12k и 4f2; умеренное улучшение, но более узкие линии ФМР
  • Ga³⁺: Преимущественно занимает 4f1, 2a, 12k; наименьшее улучшение

Преимущества замещения Cr:

  • Меньшая дисторсия решётки (разница размеров Fe–Cr только 5% против 17% для Fe–Al)
  • Более узкие линии поглощения ФМР (лучше для применений ниже 130 ГГц)
  • Легче получить монокристаллы и эпитаксиальные плёнки с высоким замещением
  • Оксид Cr не усиливает стабильность стекла, облегчая включение при кристаллизации стекла

Оценка постоянного спинового тока

  • Гексаферриты могут генерировать чистые спиновые токи посредством ЕФМР
  • Значения JSDCJ_S^{DC} до двух порядков выше, чем у антиферромагнитного MnF2\mathrm{MnF}_2
  • Для Cr-серии: значительный JSDCJ_S^{DC} для x6x \leq 6 (частоты 50–130 ГГц)
  • Перспективно для суб-ТГц спинтронных устройств

Выводы

Исследование демонстрирует первое систематическое исследование однодоменных хром-замещённых частиц гексаферрита:

  1. Успешный синтез однофазных субмикронных частиц SrFe12xCrxO19\mathrm{SrFe}_{12-x}\mathrm{Cr}_x\mathrm{O}_{19} (x=08x = 0-8) методом цитрат-нитратного автогорения

  2. Аномальная РСА показала, что Cr3+^{3+} преимущественно занимает октаэдрические позиции 2a, 12k и 4f2

  3. Улучшенные твёрдые магнитные свойства:

    • Коэрцитивная сила: 4,4 → 13,9 кЭ (при x=5,5x = 5,5)
    • Частота ЕФМР: 51 → 129 ГГц (при x=5,5x = 5,5)
    • Поле анизотропии: 18,2 → 46,2 кЭ (при x=5,5x = 5,5)
  4. Механизм: Cr3+^{3+} ведёт себя как диамагнитная примесь; MSM_S уменьшается быстрее, чем K1K_1, что приводит к увеличению HaH_a

  5. Сравнение с Al и Ga:

    • Al: наивысшие HCH_C и frf_r (36 кЭ, 250 ГГц)
    • Cr: умеренное улучшение с более узкими линиями ФМР
    • Ga: наименьшее улучшение
  6. Применения:

    • Постоянные магниты без редкоземельных элементов
    • Суб-терагерцовая спинтроника
    • Беспроводная связь следующего поколения (6G)
    • Текстурированная керамика, монокристаллы, эпитаксиальные плёнки
  7. Технологические преимущества Cr:

    • Меньшая дисторсия решётки
    • Легче рост монокристаллов
    • Лучше подходит для метода стеклокерамики

Хром-замещённые гексаферриты предлагают эффективный путь улучшения твёрдых магнитных свойств и высокочастотных характеристик, дополняя замещения Al и Ga для различных технологических применений.